1) Субнаносекундный импульс
2) Высокая пиковая энергия и пиковая мощность
3) Регулируемая частота повторения
4) качество луча вблизи предела дифракции
5) Компактная структура и небольшой размер
Инфракрасный субнаносекундный лазер NPFL-80IR-1.01
Инфракрасный субнаносекундный лазер NPFL-80IR-1.01
Этот лазерный продукт использует уникальную полностью волоконно-оптическую схему, и его эффект обработки в полупроводниковых, фотоэлектрических и других областях лучше, чем у других лазеров субнаносекундной длительности, и его стабильность хорошая.
Применение продукта：
1) Резка, сверление, маркировка (стекло, кремний, керамика)；
2) Рисунок пленки (металл, пленка)；
3) Маркировка (стекло, кремний, керамика, металлы, пластмассы).
Описание
Характеристики оборудования
| серийный номер | параметр | стандарт | Замечания |
| 1 | Режим работы | импульс | |
| 2 | Средняя мощность (Вт) | 80 | |
| 3 | Центральная длина волны (нм) | 1064 | |
| 4 | Ширина линии (нм) | ＜30 | Ширина линии 3 дБ |
| 5 | Частота повторения (кГц) | 100-2000 | Регулируемый |
| 6 | Длительность импульса (нс) | 0,1-0,2нс | Настраиваемый |
| 7 | Максимальная энергия одиночного импульса (МДж) | 0.8 | |
| 8 | Диапазон регулировки мощности (%) | 0-100 | |
| 9 | Время отклика (сша) | ＜100 | |
| 10 | Качество луча (М2) | ≤1.5 | |
| 11 | Стабильность мощности (%) | ≤3% | 24 часа |
| 12 | Размер пятна (мм) | 3.0±0.2 | 1/e2 |
| 13 | Эллиптичность пятна (%) | ＞90 | Typ.92% |
| 14 | Смещение луча (мм) | ＜1.0 | |
| 15 | Угол расхождения луча (мрад) | ＜0.5 |